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IPB65R190C7ATMA2

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IPB65R190C7ATMA2

Pour Référence Seulement

Référence IPB65R190C7ATMA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 1 890 piece(s)
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Spécifications IPB65R190C7ATMA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™ C7
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C13A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 290µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 400 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)72W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 5.7A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-3
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R190C7ATMA2 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB65R190C7ATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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