Name: IPB65R110CFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (158 reviews)

IPB65R110CFDATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB65R110CFDATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB65R110CFDATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	31.2A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.3mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3240 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	277.8W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	110mOhm @ 12.7A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R110CFDATMA1 Packaging

IPB65R110CFDATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB65R110CFDATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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