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IPB50N10S3L16ATMA2

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Pour Référence Seulement

Référence IPB50N10S3L16ATMA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPB50N10S3L16ATMA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS®-T
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 60µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4180 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs15.7mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-3-2
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB50N10S3L16ATMA2 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB50N10S3L16ATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB50N10S3L16ATMA2?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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