Name: IPB45N06S4L08ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB45N06S4L08ATMA3
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

IPB45N06S4L08ATMA3

Pour Référence Seulement

Référence	IPB45N06S4L08ATMA3
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 958 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 11 - juil. 16 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB45N06S4L08ATMA3

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS®-T2
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4780 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±16V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	71W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	7.9mOhm @ 45A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB45N06S4L08ATMA3 Packaging

IPB45N06S4L08ATMA3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB45N06S4L08ATMA3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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