Name: IPB19DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB19DP10NMATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (181 reviews)

IPB19DP10NMATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB19DP10NMATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	TRENCH >=100V PG-TO263-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 940 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 9 - juil. 14 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB19DP10NMATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.04mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	185mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB19DP10NMATMA1 Packaging

IPB19DP10NMATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB19DP10NMATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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