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IPB12CN10NGATMA2

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Pour Référence Seulement

Référence IPB12CN10NGATMA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPB12CN10NGATMA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FET-
La technologie-
Tension de drain à la source (Vdss)-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C-
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs-
Température de fonctionnement-
Type de montage-
Package de périphérique fournisseur-
Paquet / cas-

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB12CN10NGATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB12CN10NGATMA2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB12CN10NGATMA2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB12CN10NGATMA2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB12CN10NGATMA2 price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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