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IPB120P04P4L03ATMA2

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Pour Référence Seulement

Référence IPB120P04P4L03ATMA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 12 081 piece(s)
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Spécifications IPB120P04P4L03ATMA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS®-P2
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 340µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs234 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds15000 pF @ 25 V
Vgs (Max)+5V, -16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.4mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-3-2
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB120P04P4L03ATMA2 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB120P04P4L03ATMA2 FAQ

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