Name: IPB110N06L-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N06L G
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

IPB110N06L-G

Pour Référence Seulement

Référence	IPB110N06L-G
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 16 - nov. 21 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB110N06L-G

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	78A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 94µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 30 V
Vgs (Max)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Rds sur (max) @ id, vgs	11mOhm @ 78A, 10V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB110N06L-G Packaging

IPB110N06L-G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB110N06L-G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB110N06L-G only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB110N06L-G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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