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IPB100N10S305ATMA2

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IPB100N10S305ATMA2

Pour Référence Seulement

Référence IPB100N10S305ATMA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET_(75V 120V(
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPB100N10S305ATMA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 240µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs176 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds11570 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs5.1mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-3-2
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB100N10S305ATMA2 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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IPB100N10S305ATMA2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB100N10S305ATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB100N10S305ATMA2?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB100N10S305ATMA2.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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