Name: IPB072N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB072N15N3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

IPB072N15N3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB072N15N3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	14 058 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 30 - janv. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB072N15N3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	93 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5470 pF @ 75 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	7.2mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB072N15N3GATMA1 Packaging

IPB072N15N3GATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB072N15N3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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