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IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence IPB049NE7N3GATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 5 700 piece(s)
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Spécifications IPB049NE7N3GATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)75 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C80A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 91µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4750 pF @ 37.5 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.9mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-3
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB049NE7N3GATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB049NE7N3GATMA1 FAQ

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  • 3. Are the IPB049NE7N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (1)Inform us within 90 days
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