Name: IPB036N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB036N12N3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (142 reviews)

IPB036N12N3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB036N12N3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	6 180 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB036N12N3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	120 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	211 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13800 pF @ 60 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.6mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7
Paquet / cas	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

IPB036N12N3GATMA1 Packaging

IPB036N12N3GATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB036N12N3GATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB036N12N3GATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB036N12N3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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