Name: IPB029N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06NF2SATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (168 reviews)

IPB029N06NF2SATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB029N06NF2SATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	TRENCH 40<-<100V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 439 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 9 - juil. 14 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB029N06NF2SATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	StrongIRFET™2
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	26A (Ta), 120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 80µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4600 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.9mOhm @ 70A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB029N06NF2SATMA1 Packaging

IPB029N06NF2SATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB029N06NF2SATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB029N06NF2SATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB029N06NF2SATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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