Name: IPB025N10N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N10N3GE8187ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB025N10N3GE8187ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB025N10N3GE8187ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14800 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7
Paquet / cas	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

IPB025N10N3GE8187ATMA1 Packaging

IPB025N10N3GE8187ATMA1 FAQ

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