Name: IPB020NE7N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020NE7N3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

IPB020NE7N3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB020NE7N3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	20 682 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 2 - déc. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB020NE7N3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 3
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	75 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14400 pF @ 37.5 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB020NE7N3GATMA1 Packaging

IPB020NE7N3GATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB020NE7N3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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