Name: IPB019N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB019N08N3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (162 reviews)

IPB019N08N3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB019N08N3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	22 866 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 30 - oct. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB019N08N3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14200 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7
Paquet / cas	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

IPB019N08N3GATMA1 Packaging

IPB019N08N3GATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB019N08N3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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