Name: IPB015N04LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB015N04LGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

IPB015N04LGATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB015N04LGATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 124 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 30 - janv. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB015N04LGATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 200µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	346 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	28000 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.5mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB015N04LGATMA1 Packaging

IPB015N04LGATMA1 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB015N04LGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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