Name: IPB009N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB009N03LGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (169 reviews)

IPB009N03LGATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB009N03LGATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 18 - janv. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPB009N03LGATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	227 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25000 pF @ 15 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	0.95mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7-3
Paquet / cas	TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

IPB009N03LGATMA1 Packaging

IPB009N03LGATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB009N03LGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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