Name: IPAN60R360PFD7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN60R360PFD7SXKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

IPAN60R360PFD7SXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPAN60R360PFD7SXKSA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	1 182 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	févr. 14 - févr. 19 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IPAN60R360PFD7SXKSA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolMOS™PFD7
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 140µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	534 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	23W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	360mOhm @ 2.9A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-FP
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack

IPAN60R360PFD7SXKSA1 Packaging

IPAN60R360PFD7SXKSA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPAN60R360PFD7SXKSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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