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IPA90R1K2C3XKSA1

IPA90R1K2C3XKSA1

IPA90R1K2C3XKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IPA90R1K2C3XKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IPA90R1K2C3XKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)900 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5.1A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 310µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)31W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-FP
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

IPA90R1K2C3XKSA1 Packaging

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Packing
Insepction

IPA90R1K2C3XKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPA90R1K2C3XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPA90R1K2C3XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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