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IMZA65R030M1HXKSA1

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IMZA65R030M1HXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IMZA65R030M1HXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 573 piece(s)
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Spécifications IMZA65R030M1HXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C53A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 8.8mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1643 pF @ 400 V
Vgs (Max)+20V, -2V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)197W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs42mOhm @ 29.5A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-4-3
Paquet / casTO-247-4

IMZA65R030M1HXKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IMZA65R030M1HXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMZA65R030M1HXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IMZA65R030M1HXKSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IMZA65R030M1HXKSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IMZA65R030M1HXKSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IMZA65R030M1HXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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