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IMZ120R060M1HXKSA1

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IMZ120R060M1HXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IMZ120R060M1HXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IMZ120R060M1HXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C36A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 5.6mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1060 pF @ 800 V
Vgs (Max)+23V, -7V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs78mOhm @ 13A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-4-1
Paquet / casTO-247-4

IMZ120R060M1HXKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMZ120R060M1HXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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