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IMW65R048M1HXKSA1

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IMW65R048M1HXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IMW65R048M1HXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 4 305 piece(s)
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Spécifications IMW65R048M1HXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSIC™ M1
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C39A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 6mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1118 pF @ 400 V
Vgs (Max)+23V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs64mOhm @ 20.1A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-3-41
Paquet / casTO-247-3

IMW65R048M1HXKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IMW65R048M1HXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMW65R048M1HXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IMW65R048M1HXKSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IMW65R048M1HXKSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IMW65R048M1HXKSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IMW65R048M1HXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MC68HC908GP32CFB

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

2-1103110-3

INSERT MALE 40POS+1GND CRIMP

MB86H60BJ-002PB-G2000E1

Decodes both full HD MPEG-2 and H.264

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