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IMW120R350M1HXKSA1

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IMW120R350M1HXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence IMW120R350M1HXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IMW120R350M1HXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs5.3 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds182 pF @ 800 V
Vgs (Max)+23V, -7V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs455mOhm @ 2A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-3-41
Paquet / casTO-247-3

IMW120R350M1HXKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMW120R350M1HXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IMW120R350M1HXKSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IMW120R350M1HXKSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IMW120R350M1HXKSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IMW120R350M1HXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IMW120R350M1HXKSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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