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IMW120R045M1XKSA1

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Pour Référence Seulement

Référence IMW120R045M1XKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IMW120R045M1XKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C52A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 10mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 800 V
Vgs (Max)+20V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)228W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs59mOhm @ 20A, 15V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-3-41
Paquet / casTO-247-3

IMW120R045M1XKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMW120R045M1XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IMW120R045M1XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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