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IMT65R039M1HXUMA1

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IMT65R039M1HXUMA1

Pour Référence Seulement

Référence IMT65R039M1HXUMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 6 000 piece(s)
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Spécifications IMT65R039M1HXUMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FET-
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C-
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs-
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-HSOF-8-1
Paquet / cas8-PowerSFN

IMT65R039M1HXUMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IMT65R039M1HXUMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMT65R039M1HXUMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IMT65R039M1HXUMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IMT65R039M1HXUMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IMT65R039M1HXUMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IMT65R039M1HXUMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IMT65R039M1HXUMA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IMT65R039M1HXUMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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