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IMDQ75R016M1HXUMA1

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IMDQ75R016M1HXUMA1

Pour Référence Seulement

Référence IMDQ75R016M1HXUMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IMDQ75R016M1HXUMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)750 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C98A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id5.6V @ 14.9mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2869 pF @ 500 V
Vgs (Max)+23V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)384W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs15mOhm @ 41.5A, 20A
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-HDSOP-22-1
Paquet / cas22-PowerBSOP Module

IMDQ75R016M1HXUMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IMDQ75R016M1HXUMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IMDQ75R016M1HXUMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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