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IMBG120R090M1HXTMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IMBG120R090M1HXTMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 4 968 piece(s)
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Spécifications IMBG120R090M1HXTMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C26A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 3.7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds763 pF @ 800 V
Vgs (Max)+18V, -15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs125mOhm @ 8.5A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-7-12
Paquet / casTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBG120R090M1HXTMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IMBG120R090M1HXTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IMBG120R090M1HXTMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IMBG120R090M1HXTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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