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IMBG120R030M1HXTMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IMBG120R030M1HXTMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 892 piece(s)
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Spécifications IMBG120R030M1HXTMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesCoolSiC™
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C56A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 11.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2290 pF @ 800 V
Vgs (Max)+18V, -15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs41mOhm @ 25A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-7-12
Paquet / casTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBG120R030M1HXTMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IMBG120R030M1HXTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IMBG120R030M1HXTMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IMBG120R030M1HXTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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