Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMBF170R650M1XTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (174 reviews)

IMBF170R650M1XTMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IMBF170R650M1XTMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	5 709 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 18 - nov. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IMBF170R650M1XTMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolSiC™
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	422 pF @ 1000 V
Vgs (Max)	+20V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	88W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	650mOhm @ 1.5A, 15V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7-13
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBF170R650M1XTMA1 Packaging

IMBF170R650M1XTMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IMBF170R650M1XTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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