Name: IGOT60R070D1E8237AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGOT60R070D1E8237AUMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (74 reviews)

IGOT60R070D1E8237AUMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IGOT60R070D1E8237AUMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	GAN HV
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 8 - janv. 13 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IGOT60R070D1E8237AUMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolGaN™
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	31A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
Vgs (Max)	-10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-DSO-20-87
Paquet / cas	20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

IGOT60R070D1E8237AUMA1 Packaging

IGOT60R070D1E8237AUMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IGOT60R070D1E8237AUMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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