Name: IGOT60R070D1AUMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGOT60R070D1AUMA3
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

IGOT60R070D1AUMA3

Pour Référence Seulement

Référence	IGOT60R070D1AUMA3
Fabricant	Infineon Technologies
Description	GANFET N-CH
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	3 237 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 31 - janv. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IGOT60R070D1AUMA3

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolGaN™
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	31A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
Vgs (Max)	-10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-DSO-20-87
Paquet / cas	20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

IGOT60R070D1AUMA3 Packaging

IGOT60R070D1AUMA3 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IGOT60R070D1AUMA3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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