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IGN1011L1200

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Référence IGN1011L1200
Fabricant Integra Technologies Inc.
Description RF MOSFET HEMT 50V PL84A1
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IGN1011L1200

FabricantIntegra Technologies Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorHEMT
La fréquence1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain16.8dB
Tension - Test50 V
Note actuelle-
Chiffre de bruit-
Current - Test160 mA
Puissance - Sortie1250W
Tension - Classé180 V
Paquet / casPL84A1
Package de périphérique fournisseurPL84A1

IGN1011L1200 Packaging

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Sealing
Packing
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IGN1011L1200 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IGN1011L1200 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IGN1011L1200. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IGN1011L1200 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IGN1011L1200 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IGN1011L1200 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IGN1011L1200.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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