Name: IGLD60R070D1AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGLD60R070D1AUMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (163 reviews)

IGLD60R070D1AUMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IGLD60R070D1AUMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IGLD60R070D1AUMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	CoolGaN™
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
Vgs (Max)	-10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	114W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-LSON-8-1
Paquet / cas	8-LDFN Exposed Pad

IGLD60R070D1AUMA1 Packaging

IGLD60R070D1AUMA1 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IGLD60R070D1AUMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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