Name: IFS75B12N3E4B31BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IFS75B12N3E4B31BOSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

IFS75B12N3E4B31BOSA1

Pour Référence Seulement

Référence	IFS75B12N3E4B31BOSA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	IGBT MOD 1200V 150A 385W
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 23 - déc. 28 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IFS75B12N3E4B31BOSA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet	-
ECAD
Séries	MIPAQ™
Type IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150 A
Puissance - Max	385 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	4.3 nF @ 25 V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module

IFS75B12N3E4B31BOSA1 Packaging

IFS75B12N3E4B31BOSA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IFS75B12N3E4B31BOSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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