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IFS75B12N3E4B31BOSA1

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IFS75B12N3E4B31BOSA1

Pour Référence Seulement

Référence IFS75B12N3E4B31BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 150A 385W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IFS75B12N3E4B31BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
SériesMIPAQ™
Type IGBTTrench Field Stop
ConfigurationFull Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)150 A
Puissance - Max385 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4.3 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

IFS75B12N3E4B31BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IFS75B12N3E4B31BOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IFS75B12N3E4B31BOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IFS75B12N3E4B31BOSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IFS75B12N3E4B31BOSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IFS75B12N3E4B31BOSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IFS75B12N3E4B31BOSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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IGBT 600V 200A 660W TO247

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