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IFN160BST3TR

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Référence IFN160BST3TR
Fabricant InterFET
Description JFET N-Channel -50V Low Ciss
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IFN160BST3TR

FabricantInterFET
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - JFET
paquet-
ECAD
SériesIFN160
Type de FETN-Channel
Voltage - Breakdown (V (BR) GSS)-
Tension de drain à la source (Vdss)50 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)-
Drain actuel (Id) - Max-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id1 V @ 10 µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Résistance - RDS (On)330 Ohms
Puissance - Max350 mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-23-3
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3

IFN160BST3TR Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IFN160BST3TR FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IFN160BST3TR. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IFN160BST3TR on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IFN160BST3TR products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IFN160BST3TR price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IFN160BST3TR fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IFN160BST3TR?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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