Name: IAUZ30N08S5N186ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUZ30N08S5N186ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUZ30N08S5N186ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	15 000 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 6 - janv. 11 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUZ30N08S5N186ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tj)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 13µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	759 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	41W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	18.6mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8-32
Paquet / cas	8-PowerTDFN

IAUZ30N08S5N186ATMA1 Packaging

IAUZ30N08S5N186ATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUZ30N08S5N186ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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