Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (100 reviews)

IAUZ18N10S5L420ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUZ18N10S5L420ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 388 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 9 - juil. 14 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUZ18N10S5L420ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™-5
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 8µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 50 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	42mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8-32
Paquet / cas	8-PowerTDFN

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Packaging

IAUZ18N10S5L420ATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUZ18N10S5L420ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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