Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

IAUS165N08S5N029ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUS165N08S5N029ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	4 122 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 27 - oct. 2 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUS165N08S5N029ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	165A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6370 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	167W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.9mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-HSOG-8-1
Paquet / cas	8-PowerSMD, Gull Wing

IAUS165N08S5N029ATMA1 Packaging

IAUS165N08S5N029ATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUS165N08S5N029ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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