Name: IAUCN08S7N013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUCN08S7N013ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

IAUCN08S7N013ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUCN08S7N013ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET_(75V 120V(
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUCN08S7N013ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 7
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	274A (Tj)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.2V @ 130µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	116 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8402 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	219W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.3mOhm @ 88A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TDSON-8-53
Paquet / cas	8-PowerTDFN

IAUCN08S7N013ATMA1 Packaging

IAUCN08S7N013ATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IAUCN08S7N013ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IAUCN08S7N013ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUCN08S7N013ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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