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IAUCN04S7N020ATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence IAUCN04S7N020ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET_(20V 40V)
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 3 000 piece(s)
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Spécifications IAUCN04S7N020ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™ 7
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C-
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs-
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TDSON-8-33
Paquet / cas8-PowerTDFN

IAUCN04S7N020ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IAUCN04S7N020ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IAUCN04S7N020ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IAUCN04S7N020ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IAUCN04S7N020ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IAUCN04S7N020ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IAUCN04S7N020ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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