Name: IAUCN04S7N005ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUCN04S7N005ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (136 reviews)

IAUCN04S7N005ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUCN04S7N005ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET_(20V 40V)
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	21 372 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 3 - juil. 8 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUCN04S7N005ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 7
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	175A (Tj)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 95µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	127 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8320 pF @ 20 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	179W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	0.55mOhm @ 88A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TDSON-8-43
Paquet / cas	8-PowerTDFN

IAUCN04S7N005ATMA1 Packaging

IAUCN04S7N005ATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUCN04S7N005ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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