Name: IAUCN04S7L009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUCN04S7L009ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

IAUCN04S7L009ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUCN04S7L009ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET_(20V 40V)
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	3 000 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juin 29 - juil. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUCN04S7L009ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™ 7
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	275A (Tj)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 60µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5704 pF @ 20 V
Vgs (Max)	±16V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	129W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	0.91mOhm @ 88A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TDSON-8-34
Paquet / cas	8-PowerTDFN

IAUCN04S7L009ATMA1 Packaging

IAUCN04S7L009ATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUCN04S7L009ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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