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IAUC60N04S6L039ATMA1

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IAUC60N04S6L039ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence IAUC60N04S6L039ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IAUC60N04S6L039ATMA1
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IAUC60N04S6L039ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C60A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 14µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1179 pF @ 25 V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)42W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.02mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TDSON-8
Paquet / cas8-PowerTDFN

IAUC60N04S6L039ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IAUC60N04S6L039ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IAUC60N04S6L039ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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