Name: IAUA200N04S5N010ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUA200N04S5N010ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

IAUA200N04S5N010ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IAUA200N04S5N010ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET_(20V 40V)
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IAUA200N04S5N010ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™-5
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	200A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	132 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7650 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	167W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-HSOF-5-1
Paquet / cas	5-PowerSFN

IAUA200N04S5N010ATMA1 Packaging

IAUA200N04S5N010ATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IAUA200N04S5N010ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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