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HUFA76609D3ST_F085

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HUFA76609D3ST_F085

Pour Référence Seulement

Référence HUFA76609D3ST_F085
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Fiche technique

HUFA76609D3ST_F085 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 4 752 piece(s)
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Spécifications HUFA76609D3ST_F085

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesAutomotive, AEC-Q101, UltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds425pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)49W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs160 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252AA
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUFA76609D3ST_F085 fiche technique

HUFA76609D3ST_F085 Packaging

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Packing
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