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HUFA76423S3ST

HUFA76423S3ST

HUFA76423S3ST

Pour Référence Seulement

Référence HUFA76423S3ST
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB
Fiche technique

HUFA76423S3ST Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 5 648 piece(s)
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Spécifications HUFA76423S3ST

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C35A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)85W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs30 mOhm @ 35A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK (TO-263AB)
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUFA76423S3ST fiche technique

HUFA76423S3ST Packaging

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Packing
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D# NS-HUFA76423S3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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Fairchild Semiconductor Corporation

35A, 60V, 0.035OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-263AB

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