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HUFA76419S3ST

HUFA76419S3ST

HUFA76419S3ST

Pour Référence Seulement

Référence HUFA76419S3ST
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Fiche technique

HUFA76419S3ST Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 5 344 piece(s)
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Spécifications HUFA76419S3ST

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C29A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)75W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs35 mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK (TO-263AB)
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUFA76419S3ST fiche technique

HUFA76419S3ST Packaging

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Packing
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HUFA76419S3ST FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of HUFA76419S3ST?
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ON Semiconductor

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 29 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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Rochester Electronics LLC

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