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HUFA75652G3

HUFA75652G3

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Pour Référence Seulement

Référence HUFA75652G3
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Fiche technique

HUFA75652G3 Fiche technique

paquet TO-247-3
ECAD
En stock 3 360 piece(s)
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Spécifications HUFA75652G3

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs475nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7585pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)515W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs8 mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247
Paquet / casTO-247-3

HUFA75652G3 fiche technique

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Sealing
Packing
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HUFA75652G3 FAQ

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  • 3. Are the HUFA75652G3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUFA75652G3?
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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 75 A, 100 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

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D# 2156-HUFA75652G3-FS-ND

Rochester Electronics LLC

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Fairchild Semiconductor Corporation

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