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HUFA75623S3ST

HUFA75623S3ST

HUFA75623S3ST

Pour Référence Seulement

Référence HUFA75623S3ST
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
Fiche technique

HUFA75623S3ST Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 6 288 piece(s)
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Spécifications HUFA75623S3ST

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C22A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds790pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)85W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs64 mOhm @ 22A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK (TO-263AB)
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUFA75623S3ST fiche technique

HUFA75623S3ST Packaging

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Sealing
Packing
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK - Bulk (Alt: HUFA75623S3ST)

RoHS: Compliant
0
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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

32730
Référence Fabricant Description Stock

HUFA75623S3ST

D# 2156-HUFA75623S3ST-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

32730
Référence Fabricant Description Stock

HUFA75623S3ST

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

37967
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Fairchild Semiconductor Corporation

22A, 100V, 0.064ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
32730

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